Células solares fotovoltaicas , princípios fundamentais 

teoria


ÁTOMO: Essencialmente a constituição do átomo, referindo-se ao aspecto elétrico, consiste de um certo número de prótons com carga positiva no núcleo e uma quantidade igual de elétrons, de carga negativa, girando em órbitas diferentes no espaço, chamado envoluta.

O número máximo de electrões que podem ser acomodadas em cada órbita 2n2 é o número de órbitas, sendo “n”.

Os elétrons giram em órbitas elípticas sobre em cada um dos quais, e de acordo com a sua proximidade com o núcleo, só pode ser um número máximo de elétrons.

Em resposta à carga eléctrica como mencionado inicialmente, os átomos podem ser divididos em positivos, negativos e neutros.Os átomos de elementos individuais, quando suas órbitas estão completos são neutros, há um número igual de elétrons e prótons; mas desde que os elétrons na última órbita é mais afastada do núcleo e, portanto, recebem menos sua atração, eles podem sair dessa órbita chamada de valência, deixando o átomo com carga positiva conter mais prótons do que elétrons, se o Caso contrário, no último orbital do átomo havia abrigado um elétron livre fora do átomo teria adquirido carga negativa, estas duas situações são chamadas de íons.

Átomos e ESTÁVEL INSTÁVEL: Chama-se ter elétron estável completar sua última órbita ou, pelo menos, ele tem oito elétrons no átomo. Átomos instáveis​​, que são aqueles que têm enchido valência órbita nem oito elétrons na mesma, têm uma grande tendência a se estabilizar, ou derramando os elétrons de valência ou elétrons livres que absorvem o exterior para completar a última órbita ; proceder em cada caso que envolve menos energia.

ÓRGÃOS CONDUTORES E ISOLAMENTO: corpos condutores são aqueles cujos átomos facilmente permitir a passagem de elétrons através dele. Um bom exemplo é o cobre condutor (Cu) tem um elétron instável em sua quarta órbita com tendência a cair.

ÓRGÃOS SEMICONDUCTORS intrínseca: enquanto os corpos bons condutores oferecem pouca resistência à passagem de elétrons, isolando a oferta muito alta, e no meio, são semicondutores que têm uma resistência intermediária.

Um exemplo é o elemento semicondutor de silício (Si), a característica fundamental de os corpos de semicondutores é que tem quatro electrões na sua órbita de valência. Com essa estrutura do átomo é instável, mas estável para ser apresentado com um dilema: é que custa a mesma peça com quatro elétrons e correndo para fora da órbita, para absorver mais quatro elétrons para se tornar estáveis oito elétrons se passaram. Nestas circunstâncias especiais, certos elementos, tais como silício e germânio (Ge) átomos de combinar a sua forma original, a formação de uma estrutura de rede, em que cada átomo está rodeado por quatro iguais, conduzindo à formação das chamadas ligações covalentes. Nestas circunstâncias, a estrutura dos corpos de semicondutores, para estabilizar, deve funcionar como um bom isolante, mas isso não é devido à temperatura. Canto é a temperatura mais alta aumenta a agitação dos elétrons e, portanto, ligações covalentes quebradas, levando a elétrons livres e buracos (falta de elétrons).

SEMICONDUCTORS extrínsecos: Seja de que as correntes que ocorrem dentro do ambiente temperara semicondutor intrínseco são desprezíveis, dado o baixo valor de portadores livres, são adicionados para aumentar-lhes outros organismos, chamados de impurezas. Isto é tão importante como a fotovoltaica extrínseca semicondutores são obtidos.


uma x

SEMICONDUTORES TIPO extrínsecos N: estrutura cristalina FIG de silício (Si) dopado com antimônio (Sb) para introduzir átomo de impureza deste elemento, fato para o qual é chamado de semicondutor extrínseco é apresentado.

Como o átomo de Sb não só atende as quatro ligações covalentes são apreciadas, mas ainda tem muito de um elétron, que tende a sair de sua órbita de modo que seja estável átomo de Sb. Cada impurezas atômicas adicionado um elétron livre aparece na estrutura. Embora uma impurezas associadas são adicionados a um milhão de estrutura de silício, além dos 1.010 elétrons e buracos livres 1.010 cm3 que existe à temperatura ambiente, não é agora necessário adicionar uma quantidade equivalente aos elétrons livres de átomos impurezas. Sob estas condições, se Sb dopado electrões livres atinge 1016 e 1010 cm3 furos livres, sendo, assim, o número de veículos eléctricos muito mais negativo do que positivo, de modo que as primeiras são referidas como transportadores e a maioria segundos de portadores minoritários, e pela mesma razão, são atribuídos a este tipo de classificação extrínseca semicondutor do tipo EXEMPLAR SEMICONDUCTOR N.

Semicondutor EXTRÍNSECO TIPO P: na figura a estrutura de cristal de silício (Si) dopado com alumínio (Al) é apresentada. Para cada átomo de impurezas trivalentes que é adicionado a um semicondutor intrínseco lacuna, ou o que é o mesmo, a falta de um electrão ocorre na estrutura.

Adicionando uma impureza trivalente por milhão de átomos de semicondutores são: 1010 1016 e buracos livres livre elétrons por cm 3 à temperatura ambiente. Como nos semicondutores são encargos ou buracos mais positivos, são referidos, portadores majoritários; enquanto os elétrons livres apenas trazidas pelos efeitos da agitação térmica são os portadores minoritários. Pela mesma razão, o semicondutor extrínseco assim formado é chamado extrínseco SEMICONDUCTOR P, sendo neutra, toda a estrutura, como era o caso com TIPO N.

UNIÃO COM SEMICONDUCTOR P N: Quando colocar o semicondutor do tipo P com outra parte do semicondutor do tipo N, devido à lei de difusão de elétrons área N, onde há alta concentração destes tendem a ir para a zona P, que é quase o oposto ocorreu com as lacunas, tentando entrar em contato com a zona de P, onde há alta concentração de buracos, a área N. Isso traz seu encontro e neutralização na área de junção. Quando encontro com um elétron oco desaparece elétron livre passa tomar o lugar da diferença e, portanto, também desaparece último, formado nessa área da estrutura de junção estável e neutro.

Desde que a área foi top neutro N e colocá-lo ao lado da área de P perde elétrons livres, faz que cada vez que você vai ser mais positivo, enquanto a zona P, perdendo buracos, está cada vez mais negativa. Assim, uma diferença de potencial aparece entre as regiões N e P, separados pela zona de junção, que é neutra. A tensão que aparece entre as zonas, chamada barreira de potencial opõe a lei de difusão, uma vez que o potencial positivo a ser criado na região N repele furos que estão perto de P, e o potencial negativo da área de P repele os elétrons da área N. Quando ambas as áreas perderam uma certa quantidade de portadores majoritários que recombinados, a barreira de potencial criado impede uma maior divulgação e igualando assim as concentrações de ambas as áreas. A barreira de potencial é de cerca de 0,2 V, quando o semicondutor é Ge e cerca de 0,5 V, quando Si.

duas x

As aplicações da energia solar fotovoltaica são baseadas na exploração do efeito fotovoltaico tem muito a ver com como acima. Muito brevemente, e do ponto de vista eléctrico, o “efeito fotovoltaico” é produzida por radiação solar que incide (fotões) sobre os materiais que definem os semicondutores de topo e extrínsecos. A energia recebida destes fotões, causando um movimento caótico de electrões dentro do material.

Ao unir duas regiões de um semicondutor que tinha dotado artificialmente com diferentes concentrações de elétrons através de elementos dopantes que chamamos de um movimento constante eletrostática elétron campo reconducía causado. Lembre-se que estes materiais formados pela união de duas regiões do elétron diferentes concentrações do denominábamos PN junção de células solares, porque em última análise, isto é; uma junção PN em que a parte iluminada é do tipo N e não iluminado será o de tipo P

Assim, uma voltagem analógica que ocorre entre os terminais de uma bateria quando a célula solar é incidente sobre a radiação não aparece. Ao colocar os contatos metálicos cada uma das faces pode “extraído” a energia elétrica a ser utilizada para alimentar uma carga. Para que o efeito fotovoltaico para ocorrer, deve ser o seguinte:

xx1

Por outro lado, e que explica a partir de uma perspectiva quântica, o seu funcionamento baseia-se na capacidade de transmitir a energia dos fotões da luz do sol para os electrões de valência dos materiais semicondutores de radiação, de modo que estes electrões quebrar o vínculo anteriormente foi ligado ao átomo. Para cada link que está quebrado é um elétron e um buraco (falta de elétrons em um link quebrado) para circular dentro do semicondutor. O movimento dos electrões e lacunas em sentidos opostos (obtido pela existência de um campo eléctrico, como discutido mais tarde) geram uma corrente eléctrica no semicondutor que pode fluir através de um circuito externo e libertar a energia transferida pelos fotões para criar pares elétron-buraco. O campo elétrico necessário a que nos referimos acima, é obtida pela união de dois semicondutores  dopados diferente, como vimos no início desta seção: A semicondutor do tipo P (buracos em excesso) e outro N (excesso de elétrons). Que quando colocados juntos cria o campo elétrico E.

tres x

Uma célula solar é um dispositivo capaz de converter energia de a luz solar em eletricidade. As grandes maiorias das células solares que estão actualmente disponíveis comercialmente são mono-ou silício policristalino. O primeiro tipo é mais comum, embora o seu processo de fabricação é mais complicado, geralmente tem melhores resultados em termos de eficiência.

Além disso, a experimentação com materiais como cádmio Telluride ou índio cobre disseleneto está realizando células feitas com estas substâncias para fechar posições e aplicações comerciais, contando com a vantagem de ser capaz de trabalhar com tecnologia de película fina.

TRABALHO PRINCÍPIO DA CÉLULA SOLAR: Quando ligar uma célula solar e uma célula de carga está aceso, uma diferença de potencial na carga extrema ocorre e corrente flui através de (efeito fotovoltaico).

A corrente fornecida a uma carga por uma célula solar é o resultado líquido de dois componentes internos do objecto actual. Estes são:

Iluminação atual: devido à geração de portadores de produzir iluminação.

xx2

Corrente Dark: devido à recombinação de portadores produzidos pela tensão externa necessária para fornecer energia para a carga. A corrente negra escuridão

xx3

Os fotões que são formadas, para quebrar a ligação, os pares de electrão-lacuna e, por causa do campo eléctrico produzido pelo material de ligação na célula do tipo P e N, são separados antes que possam recombinar-se, formando assim a corrente elétrica que flui através da célula e a carga aplicada.

Alguns fótons não podem ser aproveitados para gerar eletricidade por várias razões:

– Os fotões com menos do que a largura da banda proibida do semicondutor a energia passa através de semicondutores sem que a sua energia para criar pares de electrão-lacuna.

– Embora um fotão possuindo uma largura superior ou igual à energia de banda proibida não pode ser explorada como uma célula não é capaz de absorver todo.

– Além disso, os fotões pode ser reflectida na superfície da célula.

IV curva característica reais de iluminação: A curva IV de uma célula fotovoltaica representa pares de valores de tensão e de corrente podem ser encontrados no funcionamento da célula. Os valores característicos são:

Tensão em circuito aberto (Voc): que é o valor máximo de tensão nas extremidades das células e ocorre quando não está ligada a nenhuma carga.

Corrente de curto circuito (Isc): definida como a corrente máxima, em uma célula fotovoltaica, e ocorre quando a célula está em curto-circuito.

A equação a seguir representa todos os pares de valores (I / V) que podem trabalhar em uma célula fotovoltaica.

xx4

Ele também pode ser expresso por:

xx5

PONTO DE ENERGIA MÁXIMA “PMP” (PM) é o produto do valor da tensão máxima (MV) e alta intensidade (IM) para o qual a energia fornecida a uma carga é elevado.

FORMA FACTOR (FF) é definida como a razão entre a potência máxima que pode ser fornecida a uma carga por o produto da tensão de circuito aberto e da corrente de curto-circuito, ou seja:

xx6

CONVERSÃO DE ENERGIA eficiência ou: É definida como a razão entre a potência eléctrica máxima que pode ser fornecida à carga (PM) e radiação incidente (PL) na célula que é o produto da radiação incidente G por área célula S:

xx7

Estes parâmetros são obtidos em uma condição de medição padrão de uso universal de acordo com a norma EN61215.

Irradiação: 1000W / m2 (1 KW / m2)

Distribuição espectral da radiação incidente: AM1.5 (massa de ar)

Incidência normal.

Temperatura da célula: 25 ° C

Outro parâmetro é a temperatura ou tonC celular operação nominal. Este parâmetro é definido como a temperatura atingir as células solares quando submetido às seguintes condições de operação:

Irradiação: 800W / m2

Distribuição espectral da radiação incidente: AM1.5 (massa de ar)

Incidência normal

Temperatura ambiente: 20 ° C

Velocidade do vento: 1m / s

Influência da temperatura sobre os parâmetros básicos de uma célula fotovoltaica: Aumentando a temperatura da célula piora o seu funcionamento:

– Curto-circuito a corrente aumenta ligeiramente.

– Diminui a tensão de circuito aberto, cerca de -2,3 mV / ° C

– O fator de forma diminui.

– O desempenho diminui.

quatro x 01

Tecnologia de silício como o material de base para o fabrico de células fotovoltaicas está sujeita a mudanças constantes, submetendo-se diferenças significativas entre os diferentes fabricantes.

PROCESSO DE FABRICO: Muito brevemente, o processo de um mono ou policristalinos de células de produção pode ser dividido nas seguintes fases:

Phase One: TORNAR-SE DE SILICONE

De ricos em quartzo (rochas compostas essencialmente de SiO2, muito abundantes na natureza) e através do processo de redução do carbono, silício é obtido com uma pureza de aproximadamente 99%, o que não é suficiente para aplicações electrónicas e é muitas vezes chamado de silício grau metalúrgico.

Purifica-se que a indústria de semicondutores de silício por meio de processos químicos, geralmente destilações coloridas compostos de silício, até que a concentração de impurezas é menor do que 0,2 partes por milhão. O material assim obtido é muitas vezes chamado de grau de semicondutores de silício e embora tenha um maior grau de pureza exigida em muitos casos pelas células solares, tem sido a base de fornecimento de matéria-prima para aplicações solares, atualmente representam quase três quartos partes fornecer a célula de produção.

No entanto, para aplicações de energia solar são especificamente suficientes (dependendo do tipo de impureza e a técnica de cristalização), a concentração de impurezas da ordem de uma parte por milhão. O material desta concentração é geralmente chamado silício de grau solar.

Existem três procedimentos possíveis actualmente em diferentes fases de experimentação para a obtenção de silício grau solar, que fornecem quase tão eficazes como grau de semicondutores em um produto de custo significativamente menor.

SEGUNDA FASE: Cristalização

quatro x 02

quatro x 03

Uma vez que o fundido de silício, a cristalização começa a partir de uma semente. A referida semente é retirada do silício fundido, que solidifica sob a forma cristalina, o que resulta, se o tempo for suficiente, um único cristal. O processo mais vulgarmente usado hoje em dia é o método Czochralsky convencional, podendo também utilizar técnicas de fundição. O silício cristalino assim obtido tem a forma de lingotes. Outros métodos capazes de produzir a folha de silício directamente a partir de epitaxia baseado em crescimento no meio de cristalização ou a partir de matrizes Se também ocorrer utilizando técnicas.

Um único cristal (frente única cristalização) eo outro o policristalino (várias frentes de cristalização, embora com direções predominantes): dois tipos de estruturas são principalmente obtidos. A principal diferença encontra-se no grau de pureza do silício durante o crescimento / recristalização.

quatro x 04

FASE TRÊS: TORNAR-SE obleas

O processo de corte é muito importante na produção de pastilhas a partir de folhas de lingotes, uma vez que representa uma perda significativa de material (que pode atingir os 50%). A espessura da bolacha resultando tipicamente da ordem de 2-4 mm.

QUARTA FASE: FABRICAÇÃO DE CELULAR E MÓDULO

Uma vez que o wafer, é necessário para melhorar a sua superfície que tem irregularidades e defeitos devidos ao tribunal, bem como a retirada de restos dos mesmos que podem levar (pó, chips), por meio de um processo chamado de decapagem.

Com wafer limpo, proceder à textura dos mesmos (prevista células monocristalinos vez que as células policristalinas não suportam este tipo de processo), usando as propriedades cristalinas de silício para obter uma superfície que absorve a radiação solar de forma mais e Estes parâmetros são obtidos em uma condição de medição padrão de uso universal de acordo com a norma EN61215.

Irradiação: 1000W / m2 (1 KW / m2)

Distribuição espectral da radiação incidente: AM1.5 (massa de ar)

Incidência normal.

Temperatura da célula: 25 ° C

Outro parâmetro é a temperatura ou tonC celular operação nominal. Este parâmetro é definido como a temperatura a atingir as células solares quando submetido às seguintes condições de operação:

Irradiação: 800W / m2

Distribuição espectral da radiação incidente: AM1.5 (massa de ar)

Incidência normal

Temperatura ambiente: 20 ° C

Velocidade do vento: 1m / s

Influência da temperatura sobre os parâmetros básicos de uma célula fotovoltaica: Aumentando a temperatura da célula piora o seu funcionamento:

– Curto-circuito a corrente aumenta ligeiramente.

– Diminui a tensão de circuito aberto, cerca de -2,3 mV / ° C

– O fator de forma diminui.

– O desempenho diminui.

Tecnologia de silício como o material de base para o fabrico de células fotovoltaicas, está sujeita a mudanças constantes, submetendo-se diferenças significativas entre os diferentes fabricantes.

cinco x 1

PROCESSO DE FABRICO: Muito brevemente, o processo de um mono ou policristalinos de células de produção pode ser dividido nas seguintes fases:

PRIMEIRA FASE: TORNAR-SE DE SILICONE

De ricos em quartzo (rochas compostas essencialmente de SiO2, muito abundantes na natureza) e através do processo de redução do carbono, silício é obtido com uma pureza de aproximadamente 99%, o que não é suficiente para aplicações electrónicas e é muitas vezes chamado de silício grau metalúrgico.

Purifica-se que a indústria de semicondutores de silício por meio de processos químicos, geralmente destilações coloridas compostos de silício, até que a concentração de impurezas é menor do que 0,2 partes por milhão. O material assim obtido é muitas vezes chamado de grau de semicondutores de silício e embora tenha um maior grau de pureza exigida em muitos casos pelas células solares, tem sido a base de fornecimento de matéria-prima para aplicações solares, atualmente representam quase três quartos partes fornecer a célula de produção.

No entanto, para aplicações de energia solar são especificamente suficientes (dependendo do tipo de impureza e a técnica de cristalização), a concentração de impurezas da ordem de uma parte por milhão. O material desta concentração é geralmente chamado silício de grau solar.

Existem três procedimentos possíveis actualmente em diferentes fases de experimentação para a obtenção de silício grau solar, que fornecem quase tão eficazes como grau de semicondutores em um produto de custo significativamente menor.

SEGUNDA FASE: Cristalização

Uma vez que o fundido de silício, a cristalização começa a partir de uma semente. A referida semente é retirada do silício fundido, que solidifica sob a forma cristalina, o que resulta, se o tempo for suficiente, um único cristal. O processo mais vulgarmente usado hoje em dia é o método Czochralsky convencional, podendo também utilizar técnicas de fundição. O silício cristalino assim obtido tem a forma de lingotes. Outros métodos capazes de produzir a folha de silício directamente a partir de epitaxia baseado em crescimento no meio de cristalização ou a partir de matrizes Se também ocorrer utilizando técnicas.

Um único cristal (frente única cristalização) eo outro o policristalino (várias frentes de cristalização, embora com direções predominantes): dois tipos de estruturas são principalmente obtidos. A principal diferença encontra-se no grau de pureza do silício durante o crescimento / recristalização.

FASE TRÊS: TORNAR-SE obleas

O processo de corte é muito importante na produção de pastilhas a partir de folhas de lingotes, uma vez que representa uma perda significativa de material (que pode atingir os 50%). A espessura da bolacha resultando tipicamente da ordem de 2-4 mm.

QUARTA FASE: FABRICAÇÃO DE CELULAR E MÓDULO

Uma vez que o wafer, é necessário para melhorar a sua superfície que tem irregularidades e defeitos devidos ao tribunal, bem como a retirada de restos dos mesmos que podem levar (pó, chips), por meio de um processo chamado de decapagem.

Com wafer limpo, proceder à textura dos mesmos (prevista células monocristalinos vez que as células policristalinas não suportam este tipo de processo), usando as propriedades cristalinas de silício para obter uma superfície que absorve a radiação solar de forma mais eficiente.

Em seguida, proceder à formação de uma junção PN por deposição de vários materiais (compostos de fósforo e de partes de N compostos de boro para as partes P, mas tipicamente, as bolachas são já dopadas com boro), e a sua integração na estrutura silício cristalina.

O próximo passo é a formação de contactos de metal da célula de uma rede na face iluminada pelo sol, e continuou no lado de trás. A formação dos contatos do lado da luz é feita usando técnicas de impressão de tela, utilizando a mais recente tecnologia laser mente de contato para melhor qualidade e desempenho.

O contacto do metal da face sobre a qual a radiação solar incide normalmente uma grade, de modo a permitir a passagem de luz e simultaneamente extraindo corrente. O outro lado é completamente coberta com metal.

Uma célula de indivíduo normal, com uma área de cerca de 75cm2 e suficiente iluminação é capaz de produzir uma voltagem de 0,4 V e uma alimentação de 1V.

Finalmente, você pode continuar a adicionar uma camada anti-reflexo para a célula, a fim de melhorar as possibilidades de absorção de radiação solar.

Após a conclusão dos processos no celular, ele passa a verificar, antes de módulos de encapsulamento, interligação e montagem.

No que se refere a eficácia das diferentes tecnologias fotovoltaicas podem indicar certos valores aproximados. No caso de silício monocristalino foi colocado em, aproximadamente, entre 16 e 25%, enquanto o policristalino é actualmente 12-13% são possíveis aumentos de curto prazo em semelhante como para o nível alcançado de cristal único.

Em resumo, no que diz respeito à tecnologia de energia solar de mono ou de silício policristalino, que pode indicar que a situação é madura, mas ainda não é um aspecto amplo de possíveis melhoramentos analisados ​​e verificados em detalhe em laboratórios.

Outros materiais possíveis para o fabrico de células solares de silício amorfo é uma. Esta tecnologia permite que as células têm espessura muito fina, que tem grandes vantagens. Além disso, o processo de fabrico é, pelo menos teoricamente, substancialmente mais simples e mais barato. A eficiência é relativamente pouco menos do que nos casos anteriores (6-8%) e ainda não tem dados suficientes sobre sua estabilidade. Seu principal campo de aplicação no momento são relógios, brinquedos, calculadoras e outras aplicações de consumo. Dentro do equivalente a aplicações de energia de tecnologia de silício cristalino, a sua versatilidade é muito adequado para a realização de módulos semitransparentes utilizados em algumas instalações integradas de construção. Ficiente.

Em seguida, proceder à formação de uma junção PN por deposição de vários materiais (compostos de fósforo e de partes de N compostos de boro para as partes P, mas tipicamente, as bolachas são já dopado com boro), e a sua integração na estrutura silício cristalino.

O próximo passo é a formação de contactos de metal da célula de uma rede na face iluminada pelo sol, e continuou no lado de trás. A formação dos contatos do lado da luz é feita usando técnicas de impressão de tela, utilizando a mais recente tecnologia laser mente de contato para melhor qualidade e desempenho.

O contacto do metal da face sobre a qual a radiação solar incide normalmente uma grade, de modo a permitir a passagem de luz e simultaneamente extraindo corrente. O outro lado é completamente coberta com metal.

Uma célula de indivíduo normal, com uma área de cerca de 75cm2 e suficiente iluminação é capaz de produzir uma voltagem de 0,4 V e uma alimentação de 1V.

Finalmente, você pode continuar a adicionar uma camada anti-reflexo para a célula, a fim de melhorar as possibilidades de absorção de radiação solar.

Após a conclusão dos processos no celular, ele passa a verificar, antes de módulos de encapsulamento, interligação e montagem.

No que se refere a eficácia das diferentes tecnologias fotovoltaicas podem indicar certos valores aproximados. No caso de silício monocristalino foi colocado em, aproximadamente, entre 16 e 25%, enquanto o policristalino é actualmente 12-13% são possíveis aumentos de curto prazo em um semelhante como para o nível alcançado de cristal único.

Em resumo, no que diz respeito à tecnologia de energia solar de mono ou de silício policristalino, que pode indicar que a situação é madura, mas ainda não é um aspecto amplo de possíveis melhoramentos analisados ​​e verificados em detalhe em laboratórios.

Outros materiais possíveis para o fabrico de células solares de silício amorfo é uma. Esta tecnologia permite que as células têm espessura muito fina, que tem grandes vantagens. Além disso, o processo de fabrico é, pelo menos teoricamente, substancialmente mais simples e mais barato. A eficiência é relativamente pouco menos do que nos casos anteriores (6-8%) e ainda não tem dados suficientes sobre sua estabilidade. Seu principal campo de aplicação no momento são relógios, brinquedos, calculadoras e outras aplicações de consumo. Dentro do equivalente a aplicações de energia de tecnologia de silício cristalino, a sua versatilidade é muito adequado para a realização de módulos semitransparentes utilizados em algumas instalações integradas de construção.

Fonte: http://www.ujaen.es/

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